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不同多晶硅锭整锭光电转化效率的比较方法

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摘要

本发明提供一种不同多晶硅锭整锭光电转化效率的比较方法，包括如下步骤：步骤1：将多晶硅锭整锭切片；步骤2：对步骤1所得若干个硅片分别进行PL检测，得到各个硅片的位错密度；步骤3：选取n个区间(x

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1. 不同多晶硅锭整锭光电转化效率的比较方法 [P] . 中国专利： CN108445006B . 2020.01.10
2. 多晶硅锭整锭光电转化效率分布的表征方法及比较方法 [P] . 中国专利： CN108445006A . 2018-08-24
3. Polycrystalline Silicon Substrate, Method for Producing Same, Polycrystalline Silicon Ingot, Photoelectric Converter and Photoelectric Conversion Module [P] . 美国专利： US2009266396A1 . 2009-10-29

机译：多晶硅基板，其制造方法，多晶硅锭，光电转换器和光电转换模块
4. Polycrystalline silicon substrate and manufacturing method thereof, polycrystalline silicon ingot, photoelectric conversion element, and photoelectric conversion module [P] . 日本专利： JPWO2006104107A1 . 2008-09-11

机译：多晶硅基板及其制造方法，多晶硅锭，光电转换元件和光电转换模块
5. POLYCRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE, POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT, PHOTOELECTRIC TRANSDUCTION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC TRANSDUCTION MODULE [P] . 世界知识产权组织专利： WO2006126371A1 . 2006-11-30

机译：多晶硅硅基底，多晶硅硅锭，光电转换元件和光电转换模块