CMOS技术中集成电路极性颠倒的保护装置

摘要

一种用于CMOS器件的极性颠倒保护装置，包括一导电类型的衬底，在衬底的主表面上的另一导电类型的阱区，在阱区上形成的衬底导电类型的源极区和漏极区，其中，通过一低电阻，源极区与正电源电压相连，要被保护的电路的输入端位于漏极区，通过一电阻，阱区与电源相连，该电阻具有这样的数值，使得极性颠倒时，阱区电流被限制在一个最小值。从而在常规MOS技术中，不需附加技术，就能完成极性颠倒的保护。