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半导体存贮器的老化起动电路及老化测试方法

摘要

一个半导体存储器的老化启动电路和老化测试方法。该老化测试模式依靠在半导体芯片多个管脚中的一个特定管脚上加载高于外部电源电压的高电压来进行。在该老化测试中,芯片中字线的复位操作被关闭,而高电压被依次加载到所有可访问的晶体管上。在这种情况下,一旦选通一字线,该字线便能持续保持此状态,同时所有字线也被置为逻辑“高”状态。这样,即可大大缩短老化时间并可获得一可靠的老化测试。

著录项

  • 公开/公告号CN1043081C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日1999-04-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN93109400.3

  • 发明设计人 崔润浩;

    申请日1993-07-31

  • 分类号G01R31/26;G11C29/00;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人黄向阳

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-11-06

    专利权有效期届满 IPC(主分类):G01R 31/26 授权公告日:19990421 期满终止日期:20130731 申请日:19930731

    专利权的终止

  • 1999-04-21

    授权

    授权

  • 1995-09-06

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1994-03-16

    公开

    公开

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