使硫族化物界面电阻最小化的电极材料和界面层

摘要

公开了具有降低的电极‑硫族化物界面电阻的相变存储器单元和用于制作相变存储器单元的方法。在电极层与硫族化物层之间形成界面层，其在基于硫族化物的相变存储器层与电极层之间提供降低的电阻。示范性实施例提供界面层包括碳化钨、碳化钼、硼化钨或硼化钼或其组合。在一个示范性实施例中，界面层包括在约1nm与约10nm之间的厚度。