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一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器

摘要

本发明公开了一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器,包括SOI基底,SOI基底的上面是波导芯层,波导芯层具有多个刻槽,按照光栅耦合器能激发少模光纤中的LP

著录项

  • 公开/公告号CN108490539B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201810088168.0

  • 发明设计人 张林;张猛;

    申请日2018-01-27

  • 分类号

  • 代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人李丽萍

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-23 10:44:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-26

    授权

    授权

  • 2018-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/124 申请日:20180127

    实质审查的生效

  • 2018-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/124 申请日:20180127

    实质审查的生效

  • 2018-09-04

    公开

    公开

  • 2018-09-04

    公开

    公开

  • 2018-09-04

    公开

    公开

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