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模拟不同注量率中子辐照的试验方法

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模拟不同注量率中子辐照的试验方法，涉及材料和器件的辐照试验。为了解决采用中子辐照产生的位移辐射损伤易形成位移缺陷，进而造成材料和器件性能退化的问题。所述方法为：选择重离子的类型和注量率，利用选择的重离子对材料和器件进行辐照，使所述材料和器件产生的位移损伤程度与待模拟注量率的中子辐照产生的位移损伤程度相同。选择的重离子的射程大于材料的厚度或器件有源区深度的2倍。在满足重离子加速器的要求的前提下，选择的重离子的注量率的范围为10

著录项

公开/公告号CN106501284B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-15

原文格式PDF
申请/专利权人哈尔滨工业大学;
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申请/专利号CN201610911409.8
发明设计人李兴冀;杨剑群;刘超铭;马国亮;
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申请日2016-10-19
分类号
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人岳昕
地址 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 10:43:34

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-15

授权

授权
2017-04-12

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/00 申请日:20161019

实质审查的生效
2017-04-12

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 23/00 申请日:20161019

实质审查的生效
2017-03-15

公开

公开
2017-03-15

公开

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