具有改进稳定性的功率半导体器件及其生产方法

摘要

本发明涉及具有改进稳定性的功率半导体器件及其生产方法。一种功率半导体器件包括第一触点、第二触点、布置在第一触点和第二触点之间的半导体体积。该半导体体积包括用于在功率半导体器件的操作期间对在半导体体积中形成的电场进行空间划界的n掺杂场阻止层、重p掺杂区和邻近的重n掺杂区，所述重p掺杂区和重n掺杂区一起形成隧道二极管，该隧道二极管位于场阻止层附近或者与场阻止层相邻或者场阻止层内，以及其中所述隧道二极管被适配为通过快速提供空穴来提供保护以免由于在异常操作条件中出现电子流而引起的对所述器件的损坏。进一步地，提供了用于生产这样的器件的方法。