垂直磁各向异性磁性纳米点阵列器件、制备方法及其应用

摘要

本发明涉及一种磁性纳米点阵列器件，包括绝缘材料的衬底以及附着于衬底上的单元，单元为矩形点阵列，矩形点阵列由具有垂直各向异性的多层磁性材料构成，矩形为等边矩形且其边长为w，矩形之间的间距为s，矩形的厚度为d，其中：w∈(100nm,1um)，d∈(5nm,50nm)，s∈(50nm,1950nm)，s:d∈(10,5)，各矩形的各尖角处均进行圆角处理。上述器件的纳米点之间的间距变化(其变化范围从100纳米到1950纳米)并不影响矫顽力以及反转场分布，而当纳米点尺寸变化范围小于100纳米内，其矫顽力最大变化率约为60％以及反转场分布最大变化率约为12％。