公开/公告号CN106810993B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院金属研究所;
申请/专利号CN201510845987.1
申请日2015-11-27
分类号C09D163/00(20060101);C09D5/08(20060101);C09D7/62(20180101);
代理机构21234 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张志伟
地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2022-08-23 10:42:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-22
授权
授权
2017-07-04
实质审查的生效 IPC(主分类):C09D163/00 申请日:20151127
实质审查的生效
2017-07-04
实质审查的生效 IPC(主分类):C09D 163/00 申请日:20151127
实质审查的生效
2017-06-09
公开
公开
2017-06-09
公开
公开
2017-06-09
公开
公开
查看全部
机译: 3 NiCo2S4 / NiOH2-3维导电碳电极上3D分层介孔NiCo2S4 / NiOH2核壳纳米片阵列的制备方法及其在高性能超级电容器中的应用
机译: 3 NiCo2S4 / NiOH2-3维导电碳电极上3D分层介孔NiCo2S4 / NiOH2核壳纳米片阵列的制备方法及其在高性能超级电容器中的应用
机译: 介孔碳/导电聚合物纳米复合材料的制备及其在双电层电容器电极中的应用