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一种安德烈夫反射结及其制备方法和应用

摘要

本发明提供一种安德烈夫反射结及其制备方法和应用,所述安德烈夫反射结包括铁磁半导体材料(Ba,K)(Zn,Mn)

著录项

  • 公开/公告号CN108511595B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN201710106167.X

  • 申请日2017-02-27

  • 分类号

  • 代理机构北京泛华伟业知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭广迅

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2022-08-23 10:41:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-25

    授权

    授权

  • 2018-10-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 39/12 申请日:20170227

    实质审查的生效

  • 2018-10-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 39/12 申请日:20170227

    实质审查的生效

  • 2018-09-07

    公开

    公开

  • 2018-09-07

    公开

    公开

  • 2018-09-07

    公开

    公开

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