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抑制电弧放电的对应等离子体射频顶电极调谐的等离子体反应器

摘要

一种用于处理半导体工件的等离子体反应器,包括:反应室,其所述反应室具有室壁和用于夹持半导体工件的工件支撑件;顶电极,其在所述工件支撑件上方,所述电极包括所述室壁的一部分;射频功率发生器,其用于在所述发生器的频率,供应功率至所述顶电极,并且能够将等离子体载所述室内,保持期望的等离子体离子密度水平。顶电极具有电容,以便所述顶电极,与在所述室内的以期望的等离子体离子密度形成的等离子体,在电极一等离子体共振频率,共振,所述发生器的所述频率至少在所述电极等离子体共振频率附近。所述反应器进一步包括:在所述顶电极上形成的绝缘层,所述顶电极面对所述工件支撑件;在所述射频功率发生器和所述顶电极之间的电容性绝缘层;以及覆盖所述顶电极表面并与其接触的金属泡沫层,所述顶电极面对并远离所述工件支撑件。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-10-03

    授权

    授权

  • 2005-06-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-04-13

    公开

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