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一种宽输入电压范围高电源抑制比的LDO

摘要

一种宽输入电压范围高电源抑制比的LDO,属于电力电子技术领域。包括误差放大器、功率模块、预降压模块、耐高压模块和电源抑制比增强模块,利用预降压电路模块对LDO的输入电压进行预处理得到一个可用于低压电路部分供电的低电源电压,利用低电源电压给误差放大器和耐高压模块供电以得到高电源抑制比,并通过耐高压模块提高LDO的输入电压范围,同时利用LDO环路内部的电源抑制比增强模块进一步提升LDO在中高频端的电源抑制比,最后利用功率模块对LDO的输入电压进行处理,得到反馈电压控制误差放大器的正向输入端以得到足够的环路增益来提高LDO的输出精度,功率模块的输出电压为LDO最终的输出电压。本发明输入范围宽,占用芯片面积小,且电源抑制比高。

著录项

  • 公开/公告号CN108427463B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201810538686.8

  • 申请日2018-05-30

  • 分类号G05F1/56(20060101);

  • 代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人葛启函

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:41:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-27

    授权

    授权

  • 2018-09-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20180530

    实质审查的生效

  • 2018-09-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20180530

    实质审查的生效

  • 2018-08-21

    公开

    公开

  • 2018-08-21

    公开

    公开

  • 2018-08-21

    公开

    公开

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