法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-11
授权
授权
2016-12-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01P1/203 申请日:20160822
实质审查的生效
2016-12-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01P 1/203 申请日:20160822
实质审查的生效
2016-11-09
公开
公开
2016-11-09
公开
公开
机译: - 基于虚设通过硅通孔的去耦电容器
机译: 基于虚设通过硅通孔的去耦电容器
机译: 基于双极的有源像素传感器单元,具有多晶硅触点,并增加了与基极区的电容耦合