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一种大电流超导导体自场有限元分析方法

摘要

本发明提出了一种大电流超导导体自场有限元分析方法,通过建立超导导体的二维截面,采用有限元方法对超导导体在大电流的测试条件下进行有限元磁场分析,得出超导导体在大电流运行条件下产生的磁场分布,并得到在超导导体上产生最大磁场的位置以及自场系数,从而确定和设计出合适的超导导体测试用背景场大小。通过本发明采用有限元的方法开展大电流测试条件下的超导导体自场分析,能够比解析的方法更准确和直观的分析得出超导导体的自场二维分布,能够直观的分析得出超导导体的最大磁场区域,确定出导体的自场系数,从而能以此为依据设计合理的超导导体大电流测试用的背景场大小。

著录项

  • 公开/公告号CN106446483B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201611157315.2

  • 申请日2016-12-15

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人孙营营

  • 地址 266000 山东省青岛市蓝色硅谷核心区创业中心

  • 入库时间 2022-08-23 10:40:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-13

    授权

    授权

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20161215

    实质审查的生效

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20161215

    实质审查的生效

  • 2017-02-22

    公开

    公开

  • 2017-02-22

    公开

    公开

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