一种含氘金属薄膜靶的制备方法

摘要

本发明公开了本发明一种含氘金属薄膜靶的制备方法，首先选用高纯钼或者高纯铜作为含氘金属薄膜靶的衬底材料并对衬底材料进行表面预处理；其次将衬底基片安装放入物理气相沉积PVD真空镀膜机内，并用氩离子轰击衬底表面，溅射掉衬底表面的氧化层；第三，设置衬底的镀膜温度，真空腔内通入高纯氘气，启动镀膜机，直接制备形成含氘金属薄膜，第四，关闭镀膜机，但继续向真空腔室内通入氘气，直至腔体内达到合适的气压才关闭氘气流量计。本发明提高了含氘金属薄膜靶的力学性能，有效控制了脆性、裂纹的发生，增加了靶膜的附着力；同时降低了表面死层厚度，提高靶膜纯度，提高了中子发生器的中子产额，延长了靶的使用寿命。