首页> 中国专利> 余割平方和合成相位双约束波瓣阵列天线优化设计方法

余割平方和合成相位双约束波瓣阵列天线优化设计方法

摘要

本发明公开了一种余割平方和合成相位双约束波瓣阵列天线优化设计方法,主要解决现有天线余割平方波瓣不能测角和笔形波瓣低仰角比幅测角精度不高的问题。其实现步骤是:确定阵列天线几何构型以及水平方向阵元间距和俯仰方向阵元间距,阵列天线几何构型选用矩形单元栅格;确定天线口径和方位、俯仰阵元数;选择天线阵元类型,设计天线阵元的波瓣;设计余割平方波瓣和相位约束条件下的波束,采用全局优化概率搜索算法对阵列天线构造和优化设计问题求解;根据阵元激励幅度和相位,设计馈电网络;天线阵元与馈电网络集成,优化馈电网络的各端口相位,对阵列波束方向图进行微调,满足合成波束余割平方波瓣和合成相位的要求。

著录项

  • 公开/公告号CN108920767B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河海大学;

    申请/专利号CN201810579215.1

  • 申请日2018-06-07

  • 分类号G06F17/50(20060101);H01Q1/36(20060101);

  • 代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人刘莎

  • 地址 211100 江苏省南京市江宁开发区佛城西路8号

  • 入库时间 2022-08-23 10:40:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-10

    授权

    授权

  • 2018-12-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20180607

    实质审查的生效

  • 2018-12-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20180607

    实质审查的生效

  • 2018-11-30

    公开

    公开

  • 2018-11-30

    公开

    公开

  • 2018-11-30

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号