公开/公告号CN106451046B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-20
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳番越光电有限公司;
申请/专利号CN201611027516.0
申请日2016-11-17
分类号H01S3/067(20060101);H01S3/0941(20060101);H01S3/10(20060101);
代理机构11368 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙);
代理人郭官厚
地址 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道竹子林求是大厦东座810
入库时间 2022-08-23 10:39:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01S3/067 登记生效日:20200417 变更前: 变更后: 申请日:20161117
专利申请权、专利权的转移
2019-09-20
授权
授权
2019-09-20
授权
授权
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S3/067 申请日:20161117
实质审查的生效
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S3/067 申请日:20161117
实质审查的生效
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 3/067 申请日:20161117
实质审查的生效
2017-02-22
公开
公开
2017-02-22
公开
公开
2017-02-22
公开
公开
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机译: 激光二极管激励激光设备,光纤激光设备和光纤激光放大器,其中掺杂有Ho3 +,Sm3 +,Eu3 +,Dy3 +,Er3 +和Tb3 +中的一种的激光介质被GaN基复合激光二极管激励
机译: 激光二极管激励激光设备,光纤激光设备和光纤激光放大器,其中掺杂有Ho3 +,Sm3 +,Eu3 +,Dy3 +,Er3 +和Tb3 +中的一种的激光介质被GaN基复合激光二极管激励
机译: 激光二极管激励激光设备,光纤激光设备和光纤激光放大器,其中掺杂有Ho3 +,Sm3 +,Eu3 +,Dy3 +,Er3 +和Tb3 +中的一种的激光介质被GaN基复合激光二极管激励