表面等离激元增强火山口型3D垂直结构LED结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种表面等离激元增强火山口型3D垂直结构LED结构及制备方法：通过在p‑GaN表面制作火山口型的表面等离激元耦合及三维量子阱发光阵列，在垂直结构LED器件中引入表面等离激元火山口型界面与量子阱发生耦合，不仅能够充分通过表面等离激元与量子阱的耦合提高垂直结构LED的内量子效率，而且能够利用火山口型耦合可以显著改善表面等离激元增强型LED器件的载流子注入效率。不仅如此，火山口型形貌和量子阱发光阵列三维排布设计，更有利于发光区激子能量耦合到表面等离激元后向外辐射出光子并从器件表面出射，因此，还能增强垂直结构LED器件的光提取效率。本发明所提出的3D多功能复合垂直结构LED结构，具有实际推广应用价值。