改善有源区点状腐蚀缺陷的方法

摘要

本发明提供了一种改善有源区点状腐蚀缺陷的方法，通过建立理论第一主刻蚀工艺中有源区顶部到浅沟槽隔离结构顶部的阶梯高度与理论第一主刻蚀工艺参数的参考关系图，根据参考关系图和实际阶梯高度从而更加方便和可控地调整实际的第一主刻蚀工艺的工艺参数，从而采用该第一主刻蚀工艺对多晶硅层进行刻蚀，且停止于栅氧层上方，使得位于栅氧层上方的多晶硅层顶部高于栅氧层顶部，避免传统第一主刻蚀工艺在第一主工艺刻蚀时容易刻蚀到栅氧层甚至有源区表面而造成的点状腐蚀缺陷，提高了对多晶硅栅极的刻蚀效果，并且本发明的方法简单，成本低廉。