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一种高性能氧化镍基P型薄膜晶体管及其制备方法

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本发明公开了一种高性能氧化镍基P型薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极绝缘层及本征NiO薄膜层，在本征NiO薄膜层和栅极绝缘层之间还设有Li:NiO薄膜层，其一种具体结构的制备方法是在带有氧化层的重掺硅片衬底上依次沉积Li:NiO薄层和NiO薄膜，最后在这种复合薄膜上蒸镀金电极，获得高性能氧化镍基P型薄膜晶体管。本发明通过在NiO薄膜和栅极绝缘层之间插入一薄层高导电的Li:NiO薄膜，可得到开关比10

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公开/公告号CN106298953B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-09

原文格式PDF
申请/专利权人浙江大学;
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申请/专利号CN201610638743.0
发明设计人朱丽萍;蒋天岚;
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申请日2016-08-04
分类号
代理机构杭州求是专利事务所有限公司;
代理人万尾甜
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
入库时间 2022-08-23 10:38:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-08-09

授权

授权
2017-02-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20160804

实质审查的生效
2017-02-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20160804

实质审查的生效
2017-01-04

公开

公开
2017-01-04

公开

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