首页> 中国专利> 半导体工艺用的具有远程第二阳极的电镀系统

半导体工艺用的具有远程第二阳极的电镀系统

摘要

本发明提供一种用于半导体晶片(66)的电镀系统(50),该系统包含通过循环系统(52、56、58)连接至电镀溶液储存槽(60)的电镀腔体(52)。该半导体晶片(66)和惰性主阳极(64)用于阴极并在电镀腔体(52)中。在电镀溶液储存槽(60)内的可消耗式远程次阳极(75)提供用于电镀的金属离子。

著录项

  • 公开/公告号CN1333442C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 先进微装置公司;

    申请/专利号CN01816765.9

  • 发明设计人 泉明国;

    申请日2001-06-04

  • 分类号H01L21/288(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;王初

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/288 授权公告日:20070822 终止日期:20160604 申请日:20010604

    专利权的终止

  • 2010-08-11

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/288 变更前: 变更后: 登记生效日:20100705 申请日:20010604

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-08-11

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/288 变更前: 变更后: 登记生效日:20100705 申请日:20010604

    专利申请权、专利权的转移

  • 2007-08-22

    授权

    授权

  • 2007-08-22

    授权

    授权

  • 2004-11-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-09-15

    公开

    公开

  • 2004-09-15

    公开

    公开

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