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淀积碳的微波增强化学气相淀积方法

摘要

本发明涉及用化学汽相淀积(CVD)法在基片上淀积含氮的碳质薄膜。将基片放入反应室,经抽真空,然后输入含碳的生产气体和含氮的添加气体到反应室中,并在0.1-300乇的压强下,在反应室加上能产生适宜的微波能量和磁场强度,就可在基片上淀积一层金刚石或金刚石状碳(DLC)薄膜。这种薄膜的硬度高,而且耐磨性和熔点高。

著录项

  • 公开/公告号CN1036078C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日1997-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;

    申请/专利号CN88101061.8

  • 发明设计人 山崎舜平;

    申请日1988-02-24

  • 分类号C23C16/26;C23C16/48;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人肖掬昌

  • 地址 日本神奈川县厚木市

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-02-11

    专利权的终止(专利权有效期届满)

    专利权的终止(专利权有效期届满)

  • 2009-02-11

    专利权的终止(专利权有效期届满)

    专利权的终止(专利权有效期届满)

  • 2009-02-11

    专利权的终止(专利权有效期届满)

    专利权的终止(专利权有效期届满)

  • 2002-04-24

    其他有关事项 其他有关事项:1992年12月31日以前的发明专利申请,授予专利权且现仍有效的,其保护期限从15年延长到20年。 根据国家知识产权局第80号公告的规定,下述发明专利权的期限由从申请日起十五年延长为二十年。在专利权的有效期内,所有的专利事务手续按照现行专利法和实施细则的有关规定办理。 申请日:19880224

    其他有关事项

  • 2002-04-24

    其他有关事项

    其他有关事项

  • 2002-04-24

    其他有关事项

    其他有关事项

  • 1997-10-08

    授权

    授权

  • 1997-10-08

    授权

    授权

  • 1997-10-08

    授权

    授权

  • 1990-07-04

    实质审查请求

    实质审查请求

  • 1990-07-04

    实质审查请求

    实质审查请求

  • 1988-09-07

    公开

    公开

  • 1988-09-07

    公开

    公开

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