公开/公告号CN105811773B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-19
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;
申请/专利号CN201610023568.4
申请日2016-01-14
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人郑立柱
地址 奥地利菲拉赫
入库时间 2022-08-23 10:37:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-19
授权
授权
2016-08-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M3/335 申请日:20160114
实质审查的生效
2016-08-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 3/335 申请日:20160114
实质审查的生效
2016-07-27
公开
公开
2016-07-27
公开
公开
机译: 减少与同步整流MOSFET相关的开关损耗
机译: 减少与同步整流MOSFET相关的开关损耗
机译: 降低与同步整流MOSFET相关的开关损耗