首页> 中国专利> 减小与同步整流MOSFET相关联的开关损耗

减小与同步整流MOSFET相关联的开关损耗

摘要

本公开的各种实施例涉及减小与同步整流MOSFET相关联的开关损耗。描述了一种包括晶体管器件的同步整流器,晶体管器件具有栅极端子、源极端子、漏极端子和场板电极。晶体管器件的场板电极包括集成二极管。集成二极管被配置成在同步整流器的每个开关操作期间对晶体管器件的寄生电容放电。在一些示例中,集成二极管还被配置成在同步整流器的每个开关操作期间对晶体管器件的寄生电容充电。

著录项

  • 公开/公告号CN105811773B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;

    申请/专利号CN201610023568.4

  • 发明设计人 C·A·布拉兹;D·拉弗雷特;

    申请日2016-01-14

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人郑立柱

  • 地址 奥地利菲拉赫

  • 入库时间 2022-08-23 10:37:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-19

    授权

    授权

  • 2016-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M3/335 申请日:20160114

    实质审查的生效

  • 2016-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 3/335 申请日:20160114

    实质审查的生效

  • 2016-07-27

    公开

    公开

  • 2016-07-27

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号