首页> 中国专利> 一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构及其制备方法

一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构及其制备方法

页面导航

摘要

本发明公开了硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构，包括在硅衬底上依次生长的非掺杂N极性面GaN缓冲层、碳掺杂N极性GaN层、非掺杂N极性面Al

查看全部

1. 一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构及其制备方法 [P] . 中国专利： CN108010956B . 2019.07.16
2. 一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构 [P] . 中国专利： CN207925473U . 2018.09.28
3. N-polar plane high-frequency GaN rectifier epitaxial structure on silicon substrate and manufacturing method therefor [P] . AU2018391121A1 . 2020-07-09

机译：硅衬底上的n极平面高频GaN整流器外延结构及其制造方法
4. EPITAXIAL STRUCTURE OF N-FACE AlGaN/GaN, ACTIVE DEVICE, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME WITH INTEGRATION AND POLARITY INVERSION [P] . 美国专利： US2019081165A1 . 2019-03-14

机译： N面AlGaN / GaN的外延结构，有源器件以及通过积分和极性反转制造相同器件的方法
5. Epitaxial structure of N-face AlGaN/GaN, active device, and method for fabricating the same with integration and polarity inversion [P] . 美国专利： US10475913B2 . 2019-11-12

机译： N面AlGaN / GaN的外延结构，有源器件及其制造方法，具有集成和极性反转