硅基中层组合物及相关方法

摘要

本发明是关于硅基中层组合物及相关方法。根据本发明一实施例，一制造半导体元件的方法包含：于衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含具有烷基的硅基组件；于所述第一材料层上直接形成光阻层；以及将所述光阻层暴露于辐射源之下。