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一种改善希捷硬盘的磁头读写速度的方法

摘要

本发明公开了一种改善希捷硬盘的磁头读写速度的方法,其特征在于包括以下步骤:S100:获取所述硬盘的ROM文件;S200:确定所述ROM文件中读适配参数RAP的地址范围;S300:获取间隙参数Clearance的值;S400:在所述读适配参数RAP的地址范围内查找并重写所述间隙参数Clearance的值;S500:校验所述ROM文件并将所述ROM文件回写至所述硬盘。本发明解决了因直接拆卸、更换磁头等方法造成人力物力的耗费、以及人为因素导致硬盘故障的扩大化而对硬盘带来二次伤害、甚至造成硬盘完全损坏的技术问题。

著录项

  • 公开/公告号CN107507631B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201710754457.5

  • 发明设计人 梁效宁;李航;董超;

    申请日2017-08-29

  • 分类号G11B5/02(20060101);G11B5/55(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 641000 四川省内江市松山南路253号

  • 入库时间 2022-08-23 10:35:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-09

    授权

    授权

  • 2018-01-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B5/02 申请日:20170829

    实质审查的生效

  • 2018-01-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 5/02 申请日:20170829

    实质审查的生效

  • 2017-12-22

    公开

    公开

  • 2017-12-22

    公开

    公开

  • 2017-12-22

    公开

    公开

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