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半导体光学装置,在半导体光学装置中形成接触的方法

摘要

一种半导体光学装置包括超晶格接触半导体区和金属电极。超晶格接触半导体区具有超晶格结构。超晶格接触半导体区包括II-VI化合物半导体区和II-VI化合物半导体层。II-VI化合物半导体区含有锌、硒和碲,II-VI化合物半导体层含有锌和硒。金属电极在所述超晶格接触半导体区上提供,金属电极与第一II-VI化合物半导体层电连接。

著录项

  • 公开/公告号CN100347868C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-11-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 住友电气工业株式会社;

    申请/专利号CN200410062177.0

  • 发明设计人 中村孝夫;森大树;片山浩二;

    申请日2004-07-02

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人程金山

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20071107 终止日期:20150702 申请日:20040702

    专利权的终止

  • 2007-11-07

    授权

    授权

  • 2005-06-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-04-27

    公开

    公开

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