首页> 中国专利> MOS管参数退化电路、测试电路及预警电路

MOS管参数退化电路、测试电路及预警电路

摘要

本发明涉及一种MOS管参数退化电路,包括NMOS管与PMOS管;NMOS管的栅极与PMOS管的栅极连接,NMOS管的漏极与PMOS管的漏极连接;PMOS管的栅极接电源;NMOS管的源极接收控制信号;控制信号为高电平信号时,NMOS管的沟道产生热载流子;NMOS管的栅极与PMOS管的栅极接收输入信号,NMOS管的漏极与PMOS管的漏极输出与所述输入信号反相的输出信号。上述MOS管参数退化电路可以提高输出信号的准确性。本发明还涉及一种可以提高测试结果准确性的MOS管参数退化测试电路、另一种可以提高测试结果准确性的MOS管参数退化测试电路、一种可以准确预警的MOS管参数退化预警电路、以及另一种可以准确预警的MOS管参数退化预警电路。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-07

    授权

    授权

  • 2017-04-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/16 申请日:20161110

    实质审查的生效

  • 2017-04-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 17/16 申请日:20161110

    实质审查的生效

  • 2017-03-22

    公开

    公开

  • 2017-03-22

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号