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用于针对毫米波功率应用的共源共栅放大器拓扑结构的设备和方法

摘要

在此提供一种用于针对毫米波功率应用的共源共栅放大器拓扑结构的设备和方法。共源共栅放大器可使用与自举的公共栅极级共源共栅的抵消的公共源极级来提供具有改善的性能、增益、稳定性和可靠性的放大器拓扑结构。此外,公共栅极级的自举的电容器可在共源共栅晶体管的源极指状物和漏极指状物之间形成图案,由此改进器件性能。作为RF功率放大器工作的情况下,具有自举公共栅极级的采用抵消的公共源极级的单级共源共栅放大器可为E带的信号提供多于15dB的功率增益。

著录项

  • 公开/公告号CN106026952B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 亚德诺半导体集团;

    申请/专利号CN201610171228.6

  • 发明设计人 赵笛贤;P·雷纳尔特;M·F·基夫尼;

    申请日2016-03-24

  • 分类号H03F3/45(20060101);H03F3/193(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人刘倜

  • 地址 百慕大群岛(英)哈密尔顿

  • 入库时间 2022-08-23 10:33:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-04

    授权

    授权

  • 2016-11-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F3/45 申请日:20160324

    实质审查的生效

  • 2016-11-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F 3/45 申请日:20160324

    实质审查的生效

  • 2016-10-12

    公开

    公开

  • 2016-10-12

    公开

    公开

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