在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法

摘要

该CVD方法是在被处理基板(W)上形成硅氮化膜。该方法包括：将基板(W)装入处理容器(8)内，加热至处理温度的工序；对被加热至处理温度的基板(W)供给含有六乙氨基二硅烷气体和含有氨气体的处理气体，在基板(W)上堆积硅氮化膜的工序。