公开/公告号CN1038437C
专利类型发明授权
公开/公告日1998-05-20
原文格式PDF
申请/专利权人 MEMC电子材料有限公司;
申请/专利号CN92109354.3
发明设计人 R·A·弗雷德里克;
申请日1992-08-14
分类号C30B15/00;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人姜建成;杨丽琴
地址 美国密苏里州
入库时间 2022-08-23 08:54:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-10-10
专利权有效期届满 IPC(主分类):C30B 15/00 授权公告日:19980520 期满终止日期:20120814 申请日:19920814
专利权的终止
2002-06-12
其他有关事项
其他有关事项
1998-05-20
授权
授权
1994-11-16
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
1993-02-24
公开
公开
机译: 利用尖端磁场和晶体以及坩埚转速控制硅晶体氧含量的方法
机译: 尖晶石磁场与晶体和坩埚旋转速率的组合控制硅晶体氧含量的方法
机译: 尖晶石磁场与晶体和坩埚旋转速率的组合控制硅晶体氧含量的方法