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氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜

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本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.08以上且小于0.20，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为8.0×10

著录项

公开/公告号CN106029603B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-28

原文格式PDF
申请/专利权人三井金属矿业株式会社;
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申请/专利号CN201580009747.6
发明设计人中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史;
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申请日2015-02-12
分类号
代理机构隆天知识产权代理有限公司;
代理人李英艳
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 10:32:26

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-28

授权

授权
2019-03-01

专利申请权的转移 IPC(主分类):C04B 35/00 登记生效日:20190212 变更前: 变更后: 申请日:20150212

专利申请权、专利权的转移
2019-03-01

专利申请权的转移 IPC(主分类):C04B 35/00 登记生效日:20190212 变更前: 变更后: 申请日:20150212

专利申请权、专利权的转移
2016-11-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/00 申请日:20150212

实质审查的生效
2016-11-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/00 申请日:20150212

实质审查的生效
2016-11-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/00 申请日:20150212

实质审查的生效
2016-10-12

公开

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2016-10-12

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2016-10-12

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