具有深层电荷平衡结构的双极半导体器件

摘要

公开了具有深层电荷平衡结构的双极半导体器件的多个实施方式。这种器件包括具有第一导电类型的漂移区，其位于具有第二导电类型的阳极层之上。该器件还包括穿过具有第二导电类型的反转区延伸到漂移区内并且通过具有第一导电类型的阴极扩散区限定边界的控制沟槽。另外，该器件包括位于控制沟槽下方的深层子沟槽结构。该深层子沟槽结构包括具有第一导电类型的一个或多个第一导电区和具有第二导电类型的一个或多个第二导电区，该一个或多个第一导电区和该一个或多个第二导电区被配置用于对深层子沟槽结构进行实质电荷平衡。在一个实施方式中，该双极半导体器件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。