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生产具有半导体或绝缘体的金属复合团簇的方法及装置

摘要

通过在第一溅射腔室10中溅射靶11U、11D产生半导体或绝缘体蒸气,同时通过在第二溅射腔室20中溅射靶21U、21D产生金属蒸气。在经过团簇成长管32移动和作为团簇流注射至高沉积腔室30的过程中,半导体或绝缘体蒸气和金属蒸气聚集成团簇,从而沉积复合团簇于基底35之上。生产出的复合团簇由于高性能在各种领域是有用的,例如高敏感性传感器、高密度磁记录介质、用于医药传输的纳米磁介质、催化剂、选择性透过膜、光磁传感器和低损耗软磁材料。

著录项

  • 公开/公告号CN100338257C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-09-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 独立行政法人科学技术振兴机构;

    申请/专利号CN03804209.6

  • 发明设计人 日原岳彦;隅山兼治;加藤亮二;

    申请日2003-01-27

  • 分类号C23C14/34(20060101);B01J3/00(20060101);C01B3/02(20060101);

  • 代理机构11216 北京三幸商标专利事务所;

  • 代理人刘激扬

  • 地址 日本埼玉县

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/34 授权公告日:20070919 终止日期:20140127 申请日:20030127

    专利权的终止

  • 2007-09-19

    授权

    授权

  • 2005-08-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-07-06

    公开

    公开

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