公开/公告号CN105431950B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-30
原文格式PDF
申请/专利权人 赛腾高新技术公司;
申请/专利号CN201480028253.8
发明设计人 兹比格卢·库茨尼奇;帕特里克·梅里埃斯;
申请日2014-05-13
分类号H01L31/0288(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/036(20060101);H01L31/068(20120101);H01L31/18(20060101);H01L31/20(20060101);G02B1/00(20060101);
代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人陈燕娴
地址 法国凡尔赛
入库时间 2022-08-23 10:31:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-30
授权
授权
2016-08-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0288 申请日:20140513
实质审查的生效
2016-08-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0288 申请日:20140513
实质审查的生效
2016-03-23
公开
公开
2016-03-23
公开
公开
机译: 用于制造硅纳米结构,硅氧碳化物纳米结构,由相同硅藻土制造的硅纳米结构以及包含硅纳米结构的锂二次电池的简化方法
机译: 用于制造硅纳米结构的还原方法,碳氧化硅纳米结构,由其制造的硅纳米结构以及包括该硅纳米结构的锂二次电池
机译: 用于非水二次电池的负极和非水二次电池,负极活性物质及其制造方法,包含纳米硅,碳层和阳离子聚合物层的复合物,包含纳米硅和碳层的复合物的制造方法