公开/公告号CN105720060B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-03
原文格式PDF
申请/专利权人 意法半导体(鲁塞)公司;
申请/专利号CN201510617909.6
申请日2015-09-24
分类号H01L27/11517(20170101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华;吕世磊
地址 法国鲁塞
入库时间 2022-08-23 10:30:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-03
授权
授权
2016-07-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20150924
实质审查的生效
2016-07-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20150924
实质审查的生效
2016-06-29
公开
公开
2016-06-29
公开
公开
机译: 具有在FDSOI衬底中形成的垂直选择栅的存储单元
机译: 具有在FDSOI衬底中形成的垂直选择栅的存储单元
机译: 单独地包括可编程电荷存储晶体管的垂直串,包括可编程电荷存储晶体管,包括控制栅极和电荷存储结构以及以单独的单独形成垂直存储器单元的垂直存储器单元的方法,包括可编程电荷存储晶体管,包括控制栅极和电荷存储结构