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常断结型场效应晶体管以及互补电路

摘要

一种结型场效应晶体管(JFET),其具有栅极区域,所述栅极区域包括具有不同导电类型的材料的两个分离的子区域,和/或肖特基结,其基本抑制在栅极结被正向偏置时的栅极电流;以及并入这种JFET装置的互补电路。根据本发明的一个方面,提供了一种结型场效应晶体管(JFET),其包括沟道区和栅极区域。所述栅极区域包括第一栅极子区域以及第二栅极子区域。所述第一栅极子区域与所述沟道区形成结。所述第二栅极子区域与所述第一栅极子区域形成结。所述沟道区以及所述第二栅极子区域包括第一导电类型的材料。所述第一栅极子区域包括第二导电类型的材料,所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。

著录项

  • 公开/公告号CN105960713B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN201580005427.3

  • 申请日2015-01-20

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人刘倜

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 10:30:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-03

    授权

    授权

  • 2016-10-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/812 申请日:20150120

    实质审查的生效

  • 2016-10-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/812 申请日:20150120

    实质审查的生效

  • 2016-09-21

    公开

    公开

  • 2016-09-21

    公开

    公开

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