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电阻式存储器中的位故障的实时纠正

摘要

用于纠正电阻式存储器设备中的位故障的系统和方法包括:将存储器设备划分成第一存储器排和第二存储器排。第一单位修复(SBR)阵列被存储在第二存储器排中,其中第一SBR阵列被配置成存储第一存储器排的第一行中的第一故障位中的故障的第一指示。第一存储器排和第一SBR阵列被配置成在存储器存取操作期间被并行地存取。类似地,存储在第一存储器排中的第二SBR阵列可以存储第二存储器排中的位故障的指示,其中第二SBR阵列和第二存储器排可以被并行地存取。因而,第一和第二存储器排中的位故障可以被实时地纠正。

著录项

  • 公开/公告号CN105917413B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201480072470.7

  • 发明设计人 T·金;S·金;J·P·金;

    申请日2014-12-12

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人杨丽

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:30:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-19

    授权

    授权

  • 2016-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/00 申请日:20141212

    实质审查的生效

  • 2016-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/00 申请日:20141212

    实质审查的生效

  • 2016-08-31

    公开

    公开

  • 2016-08-31

    公开

    公开

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