硅平面工艺中新的磷扩散技术

摘要

本发明革新了硅平面工艺中的磷扩散工艺，它用很低的温度淀积磷源，然后在适当高温下，在氧和氮气氛中对硅片进行氧化，完成杂质的再分布。这样不仅工艺简单、重复性好，而且能形成性能良好的PN结，提高了产品的成品率。