磁阻效应元件、Spin-MOSFET、磁传感器以及磁头

摘要

在使用了半导体的自旋传导元件中，与现有的GMR元件或TMR元件相比，存在元件电阻变大，并且难以获得大的磁阻比问题。本发明涉及一种磁阻效应元件，其特征在于：具备半导体通道层3、被设置于半导体通道层3上的第1强磁性层12A和与第1强磁性层12A分开设置的第2强磁性层12B、与第1强磁性层12A以及第2强磁性层12B分开设置的非磁性的第1参考电极20，电流经由半导体通道层3从第2强磁性层12B被输入到第1强磁性层12A，并输出第2强磁性层12B与第1参考电极20之间的电压。