硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用

摘要

本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GeSbTe化学机械抛光(CMP)的无磨料抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP无磨料抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、抗蚀剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料Ge_xSb_yTe_(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料Ge_xSb_yTe_(1-x-y)，(0≤x≤0.5，0≤y≤1.0，且x、y不同时为0)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。