一种去除硅化物形成过程中多余金属的方法

摘要

在先进的集成电路制造工艺中，通常使用硅化物工艺降低晶体管的源漏区域和多晶硅电极的电阻。硅化物形成过程中产生多余金属。本发明采用加入臭氧的化学溶剂去除残留金属，既可以向APM/SPM中通入一定量的臭氧，也可以用臭氧替代APM/SPM中的双氧水。使用加入臭氧的新型溶剂大大降低了工艺成本，提高了工艺性能。