一种铌掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铌掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法，所述铌掺杂二氧化锡透明导电膜由以下原子数百分比的组分组成：O 63％～70％，其余为Nb和Sn；其中，Nb的原子数为Nb、Sn原子总数的1％～9％。该透明导电膜是采用远源等离子体溅射技术在衬底上溅射沉积制成的。本发明的透明导电膜载流子迁移率高达18cm