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垂直对齐的GaAs半导体纳米线阵列的大面积制造方法

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摘要

本发明涉及一种自下而上型的制造GaAs半导体纳米线的方法，尤其是涉及一种通过使用金属薄膜从外部施加电压或电流大面积制造垂直对齐的GaAs半导体纳米线阵列的方法，其通过大面积制造网格型金属薄膜的经济性方法将制成的金属薄膜作为阳极(anode)，这样孔(h

1. 垂直对齐的GaAs半导体纳米线阵列的大面积制造方法 [P] . 中国专利： CN106794985B . 2019.03.12
2. 垂直对齐的GaAs半导体纳米线阵列的大面积制造方法 [P] . 中国专利： CN106794985A . 2017-05-31
3. A fabrication method of vertically aligned GaAs semiconductor nanowire arrays with large area [P] . 韩国专利： KR101588577B1 . 2016-01-28

机译：大面积垂直取向GaAs半导体纳米线阵列的制备方法
4. A FABRICATION METHOD OF VERTICALLY ALIGNED GAAS SEMICONDUCTOR NANOWIRE ARRAYS WITH LARGE AREA [P] . 韩国专利： KR20150142266A . 2015-12-22

机译：大面积垂直对准Gaas半导体纳米阵列的制备方法
5. Process for fabricating vertically-aligned gallium arsenide semiconductor nanowire array of large area [P] . 美国专利： US10147789B2 . 2018-12-04

机译：大面积垂直排列的砷化镓半导体纳米线阵列的制备方法