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用于光通信系统的半导体光放大器

摘要

本发明涉及一种用于光通信系统的半导体光放大器,其特征在于,所述半导体光放大器的有源层的结构为包括第一有源层和第二有源层的双有源层结构。有利地,所述第一有源层为量子阱层并且所述第二有源层为量子点层。依据本发明的用于光通信系统的半导体光放大器的3dB增益带宽能够达到至少100nm的带宽,从而能够覆盖时分波分复用无源光网络(TWDM‑PON)以及波分复用无源光网络(WDM‑PON)的最新设计要求,一方面能够实现上下行信号的半导体光放大器的复用,从而减少光放大器的数量并且降低光放大器乃至整个无源光网络的架构成本;此外还减小了由于数量众多的光放大器所带来的功率损害并且减小了其所引入的噪声从而提高了整个系统的信号传输性能。

著录项

  • 公开/公告号CN105514771B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海诺基亚贝尔股份有限公司;

    申请/专利号CN201410538546.2

  • 发明设计人 孙晓;昌庆江;

    申请日2014-10-13

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人郑立柱

  • 地址 201206 上海市浦东新区浦东金桥宁桥路388号

  • 入库时间 2022-08-23 10:27:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-12

    授权

    授权

  • 2018-01-05

    著录事项变更 IPC(主分类):H01S3/067 变更前: 变更后: 申请日:20141013

    著录事项变更

  • 2018-01-05

    著录事项变更 IPC(主分类):H01S 3/067 变更前: 变更后: 申请日:20141013

    著录事项变更

  • 2016-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S3/067 申请日:20141013

    实质审查的生效

  • 2016-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 3/067 申请日:20141013

    实质审查的生效

  • 2016-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 3/067 申请日:20141013

    实质审查的生效

  • 2016-04-20

    公开

    公开

  • 2016-04-20

    公开

    公开

  • 2016-04-20

    公开

    公开

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