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一种高均匀性的红光LED外延结构及其制备方法

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本发明涉及一种高均匀性的红光LED外延结构及其制备方法，包括由下而上依次设置的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、MQW量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层。本发明通过在生长GaAs缓冲层之前生长AlGaAs缓冲层，将表面氧化层通过AlGaAs缓冲层进行分解吸收，最大程度的减少了衬底表面氧化层对后续外延结构的影响。

著录项

公开/公告号CN106229398B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-01

原文格式PDF
申请/专利权人山东浪潮华光光电子股份有限公司;
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申请/专利号CN201610870485.9
发明设计人张雨;张新;于军;徐现刚;
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申请日2016-09-30
分类号H01L33/12(20100101);H01L33/30(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构37219 济南金迪知识产权代理有限公司;
代理人杨树云
地址 261061 山东省潍坊市高新区金马路9号
入库时间 2022-08-23 10:26:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-17

专利权的转移 IPC(主分类):H01L33/12 登记生效日:20200629 变更前: 变更后: 申请日:20160930

专利申请权、专利权的转移
2019-03-01

授权

授权
2019-03-01

授权

授权
2017-01-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/12 申请日:20160930

实质审查的生效
2017-01-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/12 申请日:20160930

实质审查的生效
2017-01-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20160930

实质审查的生效
2016-12-14

公开

公开
2016-12-14

公开

公开
2016-12-14

公开

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