一种制备Ag₂Se-Pb₃(PO₄)₂异质结纳米薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备Ag₂Se‑Pb₃(PO₄)₂异质结纳米薄膜的方法。利用电沉积的方法将PbSe沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入Ag₂Se生长溶液中，再在恒温水浴锅中生长24h，最后取出电极，电极上就生长出Ag₂Se‑Pb₃(PO₄)₂异质结纳米薄膜。本发明方法制备过程简单，且所制得的Ag₂Se‑Pb₃(PO₄)₂异质结纳米薄膜附着力强，效率高，成本低，易于大规模推广生产。