一种ZnO纳米墙RGO异质结光电气敏传感器及其制备方法

摘要

本发明涉及光敏探测器制备方法技术领域，具体涉及一种ZnO纳米墙RGO异质结光电气敏传感器及其制备方法。本发明采用以下步骤：1）多孔还原石墨烯的制备；2）在RGO表面原位生长ZnO种子层；3）在RGO表面原位生长ZnO纳米墙；4）老化制得成品实现其技术方案以克服现有技术中常温条件下光敏性及NO