形成金属单层膜、配线及制造场效应晶体管的方法

摘要

本发明提供一种制造场效应晶体管的方法，该晶体管具有牢固地粘附于栅绝缘膜的金属单层膜的源/漏电极。该方法由以下步骤组成：在支承体上形成栅极，在支承体和栅极上形成栅绝缘膜，用硅烷偶合剂对栅绝缘膜表面进行处理，在已用硅烷偶合剂处理过的栅绝缘膜13上，形成金属单层膜的源/漏电极，以及在源/漏电极之间保留的栅绝缘膜上形成半导体层的沟道形成区域。