高质量超薄六方NiPS₃纳米片及其大面积制备方法

摘要

本发明涉及高质量超薄六方NiPS₃纳米片及其大面积制备方法，属于无机半导体纳米材料技术领域，主要采用了两步化学气相反应方法。首先通过水热合成的方法在不同的基底表面生长Ni(OH)₂纳米片，然后将其加热至450‑470℃与同时加热升华的硫粉和磷粉发生化学反应，最终得到超薄的六方NiPS₃纳米片，得到的六方NiPS₃纳米片厚度约为3‑5nm，横向尺寸约为10‑20μm。本发明所述方法制备工艺简单，操作便捷且成本低，具有广阔的应用前景。